[发明专利]半导体器件的制作方法无效
| 申请号： | 200910056123.6 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101989576A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括依次位于半导体衬底上的栅氧化层和栅极，位于栅极两侧的第一侧壁层和位于第一侧壁层外侧的第二侧壁层，关键在于，包括：刻蚀去除第二侧壁层；对第一侧壁层进行刻蚀，形成椎状。采用该方法相对扩大了栅极与栅极之间的开口大小，使层间介质层材料更容易沉积在栅极与栅极之间的区域，从而有效消除了层间介质层空隙填充问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括依次位于半导体衬底上的栅氧化层和栅极，位于栅极两侧的第一侧壁层和位于第一侧壁层外侧的第二侧壁层，其特征在于，包括：刻蚀去除第二侧壁层；对第一侧壁层进行刻蚀，形成椎状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910056123.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
