[发明专利]单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法有效
| 申请号： | 200910055367.2 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101599435A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法，包括以下步骤：(1)在衬底上制备浅槽隔离区；(2)在衬底上通过离子注入形成集电区；(3)在衬底表面通过外延生长SiGe的方法形成基区；(4)在基区上面制备发射极，发射极的延展区宽度覆盖非本征基区；(5)通过离子注入实现多晶硅的高浓度掺杂；(6)将高浓度掺杂的多晶硅区作为对非本征基区掺杂的杂质源，通过热处理实现对非本征基区的掺杂。本发明的非本征基区的掺杂方法有效避免了对非本征基区的晶格损伤，进而减弱了这一损伤对发射区杂质的扩散增强效应；减小了非本征基区向收集区的扩散；基区杂质的横向扩散更易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 多晶 hbt 征基区 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上制备浅槽隔离区；(2)在衬底上通过离子注入形成集电区；(3)在衬底表面通过外延生长SiGe的方法形成基区；(4)在所述基区上面制备发射极，所述发射极的延展区宽度覆盖非本征基区；(5)通过离子注入实现多晶硅的高浓度掺杂；(6)将高浓度掺杂的多晶硅区作为对所述非本征基区掺杂的杂质源，通过热处理实现对所述非本征基区的掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
