[发明专利]相变存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910054957.3 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958337A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其制造方法，其中相变存储器包括：字线、位线以及相变存储单元，选通管；所述相变存储单元包括底部电极、顶部电极、以及底部电极与顶部电极之间的相变层；所述选通管一端与字线电连接，另一端与底部电极电连接，所述顶部电极与位线电连接；所述底部电极与相变层连接的一端呈倒锥形，且锥顶与相变层形成欧姆接触。与现有的相变存储器相比，本发明所述相变存储器在同等驱动电流下底部电极对相变层具有更优异的加热效果，从而提高了相变存储器的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器，其特征在于，包括：字线、位线以及相变存储单元，选通管；所述相变存储单元包括底部电极、顶部电极、以及底部电极与顶部电极之间的相变层；所述选通管一端与字线电连接，另一端与底部电极电连接，所述顶部电极与位线电连接；所述底部电极与相变层连接的一端呈倒锥形，且锥顶与相变层形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
