[发明专利]基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910054914.5 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101603187A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 郭炜;申筱濛;吴洁晨;孙怡婧;张一木;李明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D13/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料及其制备方法，包括：纳米针阵列和疏水薄膜，其中：疏水薄膜附着于纳米针阵列的表面，所述的纳米针阵列包括若干垂直于金属基材纵向生长排列紧密的纳米针。本发明制备所得的高疏水性材料经疏水实验表明接触角比普通疏水材料高50％。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 纳米 阵列 结构 疏水 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料，其特征在于，包括：纳米针阵列和疏水薄膜，其中：疏水薄膜附着于纳米针阵列的表面，所述的纳米针阵列包括若干垂直于金属基材纵向生长排列紧密的纳米针。
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