[发明专利]一种利用硅升华原理提纯硅的方法无效
| 申请号： | 200910054049.4 | 申请日： | 2009-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101935039A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王武生 | 申请（专利权）人： | 上海奇谋能源技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用硅升华原理提纯硅的方法，所述方法是将从不纯硅放置在真空炉中，利用硅具有升华的特性，通过加热使硅升华而不纯硅中的杂质不能升华，将硅与其中的杂质进行分离，从而提高硅的纯度的方法。本发明用于提纯硅的纯度，回收废旧半导体原料用于太阳能电池的原料，具有效率高、工艺简单、成本低、对环境没有污染等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 升华 原理 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种利用硅升华原理提纯硅的方法，其特征是：所述方法是将不纯硅放置在真空炉中，利用硅具有升华的特性，通过加热使硅升华而不纯硅中的杂质不能升华，将硅与其中的杂质进行分离，从而提高硅的纯度。
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