[发明专利]改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法

摘要

本发明提出一种改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法，包括：提供在半导体衬底上依次形成有栅氧化层、第一导电层、栅间介质层；以刻蚀栅间介质层、第一导电层和栅氧化层，形成浮置栅极；在栅极两侧的半导体衬底内形成源极/漏极；对半导体衬底进行烘烤后，在栅间介质层及半导体衬底上形成第二导电层；刻蚀第二导电层，形成控制栅极；对半导体衬底进行烘烤；于半导体衬底、浮置栅极和控制栅极上形成氮化硅层和图案化第三光刻胶层；以图案化第三光刻胶层为掩膜，刻蚀氮化硅层，在浮置栅极和控制栅极两形成侧墙。本发明避免因为硅烷醇的影响而使光刻胶层中产生空洞，改善器件间的漏电流，提高半导体器件的电性能。

主权项

一种改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅氧化层、第一导电层、栅间介质层和图案化第一光刻胶层；以图案化第一光刻胶层为掩膜，刻蚀栅间介质层、第一导电层和栅氧化层至露出半导体衬底，形成浮置栅极；去除第一光刻胶层后，在栅极两侧的半导体衬底内形成源极/漏极；对半导体衬底进行烘烤后，在栅间介质层及半导体衬底上形成第二导电层和图案化第二光刻胶层；以图案化第二光刻胶层为掩膜，刻蚀第二导电层至露出半导体衬底，形成控制栅极；去除第二光刻胶层后，对半导体衬底进行烘烤；于半导体衬底、浮置栅极和控制栅极上形成氮化硅层和图案化第三光刻胶层；以图案化第三光刻胶层为掩膜，刻蚀氮化硅层，在浮置栅极和控制栅极两形成侧墙；进行金属连线工艺，形成快闪存储器。