[发明专利]一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910053039.9 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101572291A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如WOx塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相变材料是可以发生可逆相变的化合物材料，如Ge-Sb-Te等，WOx塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge-Sb-Te和WOx塞的多级阻值变化实现多级存储，从而提高单个存储单元的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 多级 存储 存储器 单元 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种实现多级相变存储的存储器单元结构，包括底电极、绝缘介质层和顶电极，其特征在于：(1)在绝缘介质层上制备有纳米级孔洞，在孔洞中填充金属材料，形成金属塞，所述的金属材料为形成氧化物后具有阻变特性的金属；(2)金属塞的顶部氧化，形成阻变氧化物塞；(3)相变材料和阻变氧化物塞形成堆栈结构。
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