[发明专利]一种采用增益单元eDRAM的查找表无效

专利信息
申请号: 200910052911.8 申请日: 2009-06-11
公开(公告)号: CN101924550A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 林殷茵;薛晓勇;陈凤娇 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177;G11C11/409
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种采用增益单元eDRAM的查找表,属于可编程逻辑器件领域。该查找表包括多路选择器、若干个反相器和增益单元eDRAM,每个反相器的输出端对应连接于多路选择器的一个数据输入端,每个增益单元eDRAM中的存储单元的存储节点对应连接于一个反相器的输入端。该查找表具有易与CMOS标准工艺兼容、结构相对简单、单元面积小的特点。
搜索关键词: 一种 采用 增益 单元 edram 查找
【主权项】:
一种查找表,包括多路选择器和若干个反相器,每个反相器的输出端对应连接于多路选择器的一个数据输入端,其特征在于,还包括增益单元eDRAM,增益单元eDRAM中的每个存储单元的存储节点对应连接于一个反相器的输入端。
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