[发明专利]钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 200910051651.2 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101891472A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y≤0.10。本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 结构 居里 温度 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷，其特征是由通式(1‑x)K0.5Na0.5Nb1‑ySbyO3‑xK3Li2Nb5O15，式中x，y，z表示组成元素的摩尔数，其数值选择范围为0＜x≤0.1，0≤y≤0.1。
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