[发明专利]MOS管的制造方法无效
| 申请号： | 200910051556.2 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101894757A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种MOS管的制造方法，在形成源极区和漏极区时候，先注入2种离子，然后再根据形成的MOS管类型，掺杂不同类型的离子，完成源极区和漏极区制程，其方法步骤包括：在源极区和漏极区先注入氟离子，继续在该区注入锗离子；根据形成的MOS管类型，在源极区和漏极区均注入硼离子或者均注入磷离子和砷离子。本发明通过在选定形成源极区和漏极区的半导体衬底上先注入氟离子和锗离子，克服了离子沟道效应和暂态增强扩散(TED：transientenhanced diffusion)效应，更加有效控制源极区和漏极区结深，从而有效地减小了短沟道效应和源漏穿通现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | mos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种提高MOS管增益的制造方法，在完成轻掺杂漏极区离子注入后，以一倾角注入离子，在所述轻掺杂漏极区下的半导体衬底内形成袋状掺杂区，其特征在于：所述倾角为垂直于半导体器件表面的竖直面与离子注入方向形成的夹角，所述倾角在大于0度小于等于7度的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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