[发明专利]一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910050292.9 申请日: 2009-04-30
公开(公告)号: CN101613868A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 廖强强;岳忠文;沈曦;俞镇寅 申请(专利权)人: 上海电力学院
主分类号: C25D9/02 分类号: C25D9/02;C25D17/10
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 吴宝根
地址: 200090上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法,属于有色金属的防腐蚀技术。即采用分析纯的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC),配制成浓度为0.001~0.01mol/L的APDTC水溶液。将经预处理的铜电极浸渍于上述溶液中,浸渍温度为20~30℃,浸渍时间为0.5~8h,最终在铜电极表面吸附一层吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)自组装缓蚀膜。交流阻抗测试结果表明,铜电极在0.01mol/L的APDTC水溶液中自组装4~8h后,在0.5mol/LHCl溶液中的缓蚀效率可达95%以上。本发明采用的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵是一种环保型缓蚀剂,对环境无危害。
搜索关键词: 一种 电极 表面 形成 组装 缓蚀膜 方法
【主权项】:
1、一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法,其特征在于包括下列步骤:(1)、铜电极的制作及预处理取用环氧树脂密封,工作面积为0.78cm2的铜电极,表面经1#~6#金相砂纸逐级打磨抛光,用无水乙醇除油,经去离子水冲洗干净后放入电解池,电解液为0.1mol/LKCl溶液;经过氧化还原处理,-0.20V下极化60S,再于-1.1V下极化处理60S,反复处理3~5次备用;(2)、自组装溶液的配置将吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)配制成浓度为0.001~0.01mol/L的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)水溶液;其中吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)采用分析纯;(3)、铜电极表面自组装缓蚀膜形成将步骤(1)经预处理后的铜电极立即浸渍于步骤(2)所配的自组装溶液--0.001~0.01mol/L的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)水溶液中,控制浸渍温度为20~30℃,浸渍时间为0.5~8h,最终在铜电极表面形成吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)自组装缓蚀膜。
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