[发明专利]一种可单片集成的射频滤波器及制作方法有效
| 申请号： | 200910048787.8 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101534103A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李昕欣;吴争争;顾磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03H7/00 | 分类号： | H03H7/00;B81B7/02;H03H3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 射频 滤波器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可单片集成的射频滤波器，其特征在于所述的射频滤波器集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬浮空在各向异性腐蚀形成的沟槽中，且嵌入硅片表面以下，悬浮于沟槽上的电感和电容由周围的介质层薄膜支撑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910048787.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
