[发明专利]蘸片法制作Ge/Si太阳能电池p-n结的方法

摘要

本发明涉及一种蘸片法制作Ge/Si太阳能电池p-n结的方法。其包括以下步骤：在封闭式且在高纯氩气保护气氛中，向耐高温坩锅内n型Si中加入一定比例的高纯Ge，加热熔化形成Si-Ge合金溶液；固定器夹持p型多晶硅，对其衬底自由端面预热至一定温度，其后快速蘸取n型Si-Ge合金溶液；然后缓慢降温进行定向凝固、退火处理，在p型多晶硅和n型富Ge层界面形成太阳能电池的p-n结。本发明利用氩气保护，控制有害物质的释放，减少了对环境的污染；通过p型多晶硅衬底蘸取n型Si-Ge合金溶液，然后进行缓慢的定向凝固使Ge富集在多晶硅衬底表面，所得富Ge层大大提高了其载流子迁移率，从而大幅度提高了太阳能电池的转换效率。本发明制作工艺简单、无材料浪费，对大规模生产具有重要的意义。

主权项

一种蘸片法制作Ge/Si太阳能电池p-n结的方法，其特征在于，包括以下步骤：步聚1，向耐高温坩锅内n型Si中加入一定比例的高纯Ge，加热熔化形成n型Si-Ge合金溶液；步骤2，固定器夹持p型多晶硅，对其衬底自由端面预热至一定温度，其后p型多晶硅衬底的自由端面快速蘸取n型Si-Ge合金溶液；步骤3，蘸取n型Si-Ge合金溶液后的p型多晶硅衬底缓慢降温进行定向凝固、退火处理，在p型多晶硅和n型富Ge层界面形成太阳能电池的p-n结。