[发明专利]一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关无效
| 申请号： | 200910048448.X | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101510564A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 江安全;马镇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/43 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 200433*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关，包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置于衬底表面；锆钛酸铅材料层，所述锆钛酸铅材料层设置于第一电极远离衬底的表面；介质薄膜层，所述介质薄膜层设置于锆钛酸铅材料层远离第一电极的表面，所述介质薄膜层的材料为高介电常数材料；以及第二电极，所述第二电极设置于介质薄膜层远离锆钛酸铅材料层的表面。本发明的优点在于，采用了高介电常数材料作为介质薄膜层，提高了隧道开关的稳定性和可靠性，更好的满足工业应用的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 锆钛酸铅 材料 隧道 开关 | ||
【主权项】：
1. 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关，其特征在于，包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置于衬底表面；锆钛酸铅材料层，所述锆钛酸铅材料层设置于第一电极远离衬底的表面；介质薄膜层，所述介质薄膜层设置于锆钛酸铅材料层远离第一电极的表面，所述介质薄膜层的材料为高介电常数材料；以及第二电极，所述第二电极设置于介质薄膜层远离锆钛酸铅材料层的表面。
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