[发明专利]背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n⁺型的沟道，此n⁺型沟道连通n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n⁺沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。

主权项

1.一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于：在双面抛光的蓝宝石晶片衬底(1)上采用外延工艺依次生长如下结构层：缓冲层(2)：为未掺杂的AlN层，厚度为0.1-2微米；n型AlxGa1-xN层(3)：其中0＜x≤0.8，薄膜层的电子浓度大于5×1017cm-3，厚度为0.2-2微米；有源层(4)：为本征GaN或是弱n型GaN层，其电子浓度小于5×1016cm-3，厚度为0.1-0.3微米；p型欧姆接触层(5)：为p型GaN层，厚度在0.03-0.2微米，其空穴浓度大于1×1017cm-3；其中n型AlxGa1-xN层(3)、有源层(4)及p型欧姆接触层(5)由一n+型沟道(7)连通，在n+型沟道(7)上制作有n型欧姆接触电极(8)，在p型欧姆接触层(5)上制作有p型欧姆接触电极(9)。