[发明专利]制备相变存储器的方法无效
| 申请号： | 200910045817.X | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101483220A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;吕士龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种制备相变存储器的方法，包括：制备底层介质层的步骤；制备底层电极的步骤；制备标记图形的步骤；制备标记保护层的步骤；制备相变材料的步骤；制备刻蚀相变材料掩膜的步骤：利用自组装有序排列的聚苯乙烯微球做掩膜刻蚀相变材料；制备相变材料结构的步骤；基片平坦化处理步骤；顶层电极的引出步骤；顶层氧化硅沉积步骤。利用本发明中的自组装方式实现掩模时不受设备的限制，同时掩模面积也可以做到尽可能大，而且掩模的制备效率相对传统的方法要高的多。本发明相变存储器的制备方法有助于制备新型的高密度低功耗相变存储器，促进存储器的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 相变 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备相变存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：制备底层介质层的步骤；制备底层电极的步骤；制备标记图形的步骤；制备标记保护层的步骤；制备相变材料的步骤；制备刻蚀相变材料掩膜的步骤：利用自组装有序排列的微球做掩膜刻蚀相变材料；制备相变材料结构的步骤；基片平坦化处理步骤；顶层电极的引出步骤；顶层氧化硅沉积步骤。
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