[发明专利]改善栅氧化层生长的方法以及浅沟槽隔离工艺的制作方法无效
| 申请号： | 200910045141.4 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777513A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善栅氧化层生长的方法以及浅沟槽隔离工艺的制作方法。本发明能够在浅沟槽隔离工艺的沉积氮化硅层之后、生长栅氧化层工艺之前的任意时刻，将晶圆背面粗糙的氮化硅层去除、以使得晶圆背面尽可能平滑，因而在对晶圆进行批处理的生长栅氧化层工艺过程中，通入上层晶圆背面与下层晶圆正面之间的气体，不会由于上层晶圆背面粗糙的氮化硅层而流动不畅，从而使得下层晶圆正面生长的栅氧化层的厚度不会由于气体流动不畅而变得不均匀，进而改善栅氧化层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 氧化 生长 方法 以及 沟槽 隔离工艺 制作方法 | ||
【主权项】：
一种改善栅氧化层生长的方法，其特征在于，该方法在浅沟槽隔离工艺中沉积氮化硅层之后、生长栅氧化层工艺之前执行，且该方法包括：去除所述浅沟槽隔离工艺在晶圆背面形成的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
