[发明专利]用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺无效
| 申请号： | 200910043000.9 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101515580A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 周继承;石之杰;郑旭强;刘福;黄迪辉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314;C23C14/34 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜 勇 |
| 地址： | 410083湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si3N4阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 sicn 介质 扩散 阻挡 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜，其特征在于：由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。
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