[发明专利]一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％-90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。

主权项

1、一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，其特征是：(1)、在以透明导电玻璃作衬底上沉积一层N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜，衬底温度为150～400℃，非晶硅薄膜厚度为50～100纳米；(2)、以纯度大于6N、导电类型为P型或N型的多晶硅为原料，采用气流粉碎技术制备P型颗粒硅或N型颗粒硅，颗粒硅的平均颗粒度为5～50微米，接着：(3.1)按硅质量百分比为30～90％的比例将P型颗粒硅或N型颗粒硅加入在EVA、PET或PI塑料单体溶液中得到复合材料，将复合材料在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度为5～50微米的P型颗粒硅/塑料复合膜层或N型颗粒硅/塑料复合膜层；或(3.2)采用流延技术在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上沉积一层EVA、PET或PI塑料膜，膜厚为50微米，采用粉末喷涂的工艺将一层P型颗粒硅或N型颗粒硅沉积在温度为300℃的EVA、PET或PI/非晶硅层上，接着施加一定的压力，使得几乎所有的P型颗粒硅或N型颗粒硅嵌入EVA、PET或PI塑料并和N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜形成接触，(4)、最后在该复合薄膜层上，沉积一层铝背电极或银背电极，完成该复合薄膜太阳能电池基本制作。