[发明专利]一种SiC超细粉体的制备方法

摘要

一种SiC超细粉体的制备方法，其通过机械粉碎的方法，采用复合新型分散剂SD1000为助磨剂，克服了传统机械粉碎效率低、粉体粒径分布范围宽、分级难、不易保证产品质量的稳定性和一致性等缺点，制备了粒径在0.3～0.6μm的超细SiC粉体。同时在粉体中加入了活性的纳米颗粒，提高了粉体的烧结活性，使其烧结温度从传统的2200℃降低到1950℃～2000℃，降低了其相关产品烧结致密的难度。

主权项

一种SiC超细粉体的制备方法，其特征在于以SiC粉料为主要基料，添加新型复合分散剂SD1000和纳米颗粒，以机械粉碎的方法制备高纯超细的SiC粉体。其工艺步骤为：配料：使用SiC粉料、纳米SiC颗粒按质量分数分别为99％～98％和1％～2％进行配料。球磨：添加SD1000作为分散介质，添加SD1000作为分散剂，加入的SD1000质量为干SiC粉料质量的0.5～5％，以水为球磨介质，使用碳化硅球进行球磨，球料比为1∶3～1∶5之间.球磨时间为保持在8～12小时之间。烘干：球磨好的混合料浆放在烘箱中，烘箱的温度保持在60℃～80℃之间，进行烘干。