[发明专利]基于丝网印刷工艺的制作高效双面P型晶体硅太阳电池的方法无效
| 申请号： | 200910034985.9 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101692467A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王建波;姚文杰;解柔强;黄海冰;向妮;倪志春;王艾华;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中电电气(南京)光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 程化铭 |
| 地址： | 211100 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于丝网印刷工艺的制作高效双面P型晶体硅太阳电池的方法，其制备步骤是：在P型硅片的正面磷扩散，生长钝化层和减反层，制作正面电极，在P型硅片的背面硼扩散或局部硼扩散，生长钝化层和减反层，制作背面电极。本发明方法，制作工艺简单，成本低廉，大部分的工艺制作都能在普通的P型传统电池生产线上进行，设备投资低，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 丝网 印刷 工艺 制作 高效 双面 晶体 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
一种基于丝网印刷工艺的制作高效双面P型晶体硅太阳电池的方法，其制备步骤是：在P型硅片的正面磷扩散，生长钝化层和减反层，制作正面电极，在P型硅片的背面硼扩散或局部硼扩散，生长钝化层和减反层，制作背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
