[发明专利]阻变氧化物材料Lu2O3薄膜制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200910034820.1 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101643890A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 殷江;高旭;夏奕东;任建强;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 阻变氧化物Lu2O3薄膜的制备方法和应用，步骤如下：a)Lu2O3陶瓷靶材的制备：将氧化镥粉末经研钵研磨后冷压成圆柱形薄片，并在箱式电阻炉中烧结，温度范围为：1400±100℃，得到致密的Lu2O3陶瓷靶材；b)将烧结好的Lu2O3靶材放在脉冲激光沉积成膜系统生长室中的靶台上，衬底固定在生长室中的衬底台上；真空度8±3×10-5Pa；c)激光沉积Lu2O3薄膜的厚度至50±20nm；d)将沉积好的薄膜置于快速热退火炉中，在氩气气氛保护下200℃退火60±30秒；所述衬底为金属薄膜、SiO2或Si(111)衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 材料 lu sub 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种阻变氧化物Lu2O3薄膜，其特征在于该薄膜为非晶态，薄膜的厚度为50±20nm。
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