[发明专利]一种稳压二极管制造工艺

摘要

本发明涉及一种稳压二极管制造工艺，该工艺包括：选择硅片衬底，杂质掺杂，形成二氧化硅薄膜层，开沟槽，多晶硅钝化膜层沉积，玻璃胶层沉积，玻璃胶去除，玻璃胶层硬化，多晶硅钝化膜和二氧化硅薄膜去除，沉积金属层，从而实现了高工作电压稳压二极管的单芯片生产。

主权项

1、一种稳压二极管制造工艺，其特征在于：选择硅片衬底，该硅片衬底为N型<111>晶向，其表面电阻率为3.8～4.0Ω/cm，然后按以下步骤进行操作：第一步，杂质掺杂，在所述硅片衬底上表面，采用B纸源通过热扩散方法进行掺杂，形成P区，该P区表面掺杂浓度至少1021atm/cm3，扩散深度为80-100μm；第二步，在所述硅片衬底上表面形成一层二氧化硅薄膜层；第三步，在所述硅片衬底上表面开沟槽，从而在所述硅片衬底上表面挖出至少一个PN结，形成对应个数的二极管器件区；第四步，在所述硅片衬底上表面，沉积一层厚度为0.2±0.05μm的多晶硅钝化膜层；第五步，在所述多晶硅钝化膜层上形成一层玻璃胶层；第六步，将所述二极管器件区的中央区域所对应的玻璃胶去除；第七步，将第六步去除玻璃后的其余玻璃胶层烧结硬化；第八步，将所述二极管器件区的中央区域所对应的多晶硅钝化膜和二氧化硅薄膜去除；第九步，在所述二极管器件区的中央区域和所述硅片衬底下表面均沉积金属层，形成金属电极。