[发明专利]用于晶片粘接的方法及其装置有效
申请号: | 200910030364.3 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101510516A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 王玉香;肖玉森 | 申请(专利权)人: | 南京德研电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/00 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210037江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种用于晶片粘接的方法及其装置,工艺步骤:粘接晶片胶的配置:要粘接的晶片烘烤;粘接晶片的夹具架和夹具架上有可移动夹具进行预热;把配置好的胶放到电炉胶合铁板上加热;把加热好的晶片放到加热的胶合铁板上让加热的胶进行充分溶解渗透到每一片晶片的表面;用工具进行搓拉晶片使晶片表面渗透均匀;砣放到夹具架和夹具架上的可移动夹具中用双手挤压夹具,铲除多余的胶,用直角尺检测直角度要求90°±1°,用刀口尺和塞尺进行检测平整度要求小于0.2mm,待常温冷却后从夹具中取出。优点:提高晶片粘接的强度,提高晶片与胶的充分溶解和渗透均匀,提晶片与晶片之间的密封性,减少后序加工此产品的损坏同时提高最终产品的各项质量指标。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1、用于晶片粘接的方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:一、粘接晶片胶的配置:各组成的重量比为85号地蜡∶松香∶热熔胶=5:3∶5;经混合后放到A电炉加热板上的铝锅中加温,加热板的功率1000W,使地蜡、松香、热熔胶充分溶化后,进行搅拌,搅拌均匀后,胶液用60目的金属过滤网过滤,放入30cm*50cm的托盘中;二、粘接的晶片烘烤:把晶片放到电烤箱内的托盘中,电烤箱的温度为170℃-190℃,烘烤时间为35-45分钟;三、B电炉加热板上的夹具架和夹具架上的可移动夹具进行预热,预热温度30℃-50℃;四、把配置好的胶放到A电炉加热板上加热:熔化后的混合胶的温度140℃-160℃;五、将上述工艺步骤二中已加热好的晶片放到加热的胶合铁板上,胶合铁板上加热温度140-160℃,然后将上述工艺步骤一中已配置好的胶放在胶合铁板上进行充分溶解,使胶渗透到每一片晶片的表面:六、用普通竹筷子进行搓拉晶片,使晶片渗透均匀,晶片表面的混合胶充分均匀地分散到晶片表面的每一处;七、在B电炉加热板上预热好的可移动夹具的底部和侧面均匀地涂上一层46#润滑油0.32千克/平方米,夹具架的底部和侧面也均匀地涂上一层46#润滑油0.32千克/平方米,然后用长镊子夹住渗透均匀的晶片组成的砣放到可移动夹具中再用双手挤压夹具,并用铲刀把挤压出来多余的胶铲掉,然后用直角尺检测直角度要求90°±1°,用刀口尺和塞尺进行检测平整度要求小于0.2mm,最后待常温冷却后从夹具中取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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