[发明专利]硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法有效
| 申请号： | 200910029826.X | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101510508A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李伟华;张涵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 211109江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。所有直角补偿图形的外轮廓均起始于表示<100>晶向的直线b1(或b2)，并且具体图形可以由下列方法之一生成：本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 110 衬底 各向异性 腐蚀 直角 结构 补偿 图形 生成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
