[发明专利]一种溅射镀膜的方法无效
| 申请号： | 200910027044.2 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101565818A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 狄国庆 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溅射镀膜方法，采用磁场辅助溅射方式镀膜，靶材和基片平行设置于两电极之间的电场中，靶材位于阴极表面，基片位于阳极，使靶材和基片之间形成等离子区，离子轰击靶材产生溅射，溅射出的靶材成分粒子沉积在基片上形成薄膜，其特征在于：所述靶材位于由永久磁铁或电磁铁或电磁线圈产生的磁场中，磁场的方向垂直于靶材表面。本发明的方法能够大幅度提高溅射镀膜的速率，大幅度提高镀膜的结晶质量；能整体比较均匀地刻蚀靶材，靶材的利用率可以提高到85～90％；并且对磁性和非磁性靶材都能获得更高的溅射速率和同样的溅射效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射镀膜方法，采用磁场辅助溅射方式镀膜，靶材和基片平行设置于两电极之间的电场中，靶材位于阴极表面，基片位于阳极，使靶材和基片之间形成等离子区，离子轰击靶材产生溅射，溅射出的靶材成分粒子沉积在基片上形成薄膜，其特征在于：所述靶材位于由永久磁铁或电磁铁产生的磁场中，磁场的方向垂直于靶材表面，磁场的强度沿靶材表面呈均匀或近均匀分布。
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