[发明专利]一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备

摘要

本发明涉及的是一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备，腐蚀的方法包括如下工艺步骤：一、腐蚀液的配置：二、腐蚀数量：三、腐蚀槽振动架上下运动：四、来料随机抽测晶片并由计算机自动计算该批次晶片的腐蚀时间；五、按照腐蚀时间启动腐蚀机。设备，其结构是在框内设有腐蚀槽，腐蚀槽紧邻三道清洗槽，三道清洗槽和腐蚀槽间用隔板隔开，三道清洗槽间有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蚀槽内各有一根传动杆，传动杆上有个固定架，盛放晶片篮放在该固定架；所述的腐蚀槽外围有一放水隔层。优点：由自动腐蚀晶片是原加工产量的8倍；腐蚀用计算机档案进行频率管控，减少人为因素；腐蚀和清洗能同时进行，从而减少人力也提高了效率。

主权项

1、一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、腐蚀液的配置：F>30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH4HF2，分子量：57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度65±2℃；二、腐蚀数量：F≤17MHz1000～2000片/篮，F>17MHz1500～2000/篮；式中的F是频率；晶片的规格，共4篮；三、受电机控制的腐蚀槽振动架，在电机的控制下作上下运动：1～1.5次/秒(晶片型号HC-49U/S)；四、从将腐蚀的晶片中随机抽测晶片20片，并将该20片的频率记录在计算机档案里，取其中频率最大的5片进行第一次腐蚀，在进行第一次腐蚀前应将所设定的时间和频率记录在计算机档案里，将第一次腐蚀的目标值为上述20片中的平均频率值加上述20片中的最大的频率值除以2，该批次晶片的腐蚀时间由计算机自动计算；五、启动腐蚀机，待晶片腐蚀到规定时间，将4篮晶片拎出，放入水温在80-100度的三道清洗槽内清洗，每一道槽清洗时间10～15分钟，经三道槽清洗后放在纯净水中超声清洗10～15分钟，然后放入电子级酒精超声脱水8～10分钟，最后烘干，除去晶片表面水迹。