[发明专利]蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、p-AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(A)。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，改变了出射光的路径，大大减少了光在传播过程中的损耗。本发明由于采用干法刻蚀窗口区，使得位于窗口区底部的电子势垒层p-AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，本发明可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。

主权项

1.一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件，包括AlN成核层、本征AlGaN外延层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层和p型GaN冒层，其特征在于p型GaN冒层的中心刻蚀有柱体状窗口区(A)，用于改变出射光的路径。