[发明专利]一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池无效
| 申请号: | 200910019869.X | 申请日: | 2009-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN101533862A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 林桂江;黄生荣;丁杰;吴志敏;吴志强 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0304 |
| 代理公司: | 厦门原创专利事务所 | 代理人: | 徐东峰 |
| 地址: | 361009福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本发明公开的一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池,包括一个Ge底电池,一个中间电池,一个顶电池和其间的隧穿结,中间电池基区由p型Ga1-xInxAs层和应变补偿p型GaAsP/Ga1-yInyAs超晶格共同构成,带隙为1.65~1.75eV的AlxGa1-xAs电池做为三结电池的顶电池,同时满足晶格匹配和短路电流匹配条件。本发明可以充分利用成熟的MOCVD外延技术,克服现有三结太阳电池电流匹配和晶格匹配不相容的缺点,进一步提高三结太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 电流 匹配 晶格 高效率 太阳电池 | ||
【主权项】:
1. 一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池,包括一个Ge底电池,一个中间电池,一个顶电池和其间的隧穿结,其特征在于:中间电池基区由p型Ga1-xInxAs层和应变补偿p型GaAsP/Ga1-y,InyAs超晶格共同构成,带隙为1.65~1.75eV的AlxGa1-xAs电池做为三结电池的顶电池,同时满足晶格匹配和短路电流匹配条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





