[发明专利]一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法无效
| 申请号： | 200910018771.2 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101656284A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;巩海波;夏伟;吴拥中;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法，包括以下步骤：(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，衬底为GaAs材料；(2)在外延生长的P型接触层上用电子束溅射一层厚260nm的ITO薄膜；(3)将覆盖有ITO的外延片浸入浓盐酸中1分钟，腐蚀掉部分ITO，残留的为颗粒状的ITO；(4)用残留的ITO颗粒作掩膜，干法刻蚀P型接触层，形成粗化表面；(5)用浓盐酸腐蚀掉残留的ITO。本发明使用颗粒状ITO作为干法刻蚀的掩膜材料，经刻蚀后可得到刻蚀尺寸和深度可控的粗化表面发光二极管，经表面粗化的红光LED的光提取可提高30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 ito 颗粒 掩膜粗化 红光 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，其中红光LED的衬底为GaAs材料；(2)在外延生长的P型接触层上用电子束溅射一层厚260nm的ITO(铟锡氧化物)薄膜；(3)将覆盖有ITO的外延片浸入浓盐酸中1分钟，腐蚀掉部分ITO，残留的为颗粒状的ITO；(4)用残留的ITO颗粒作掩膜，干法刻蚀P型接触层，形成粗化表面；(5)用浓盐酸腐蚀掉残留的ITO。
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