[发明专利]高电阻率/低B值热敏材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910013605.3 | 申请日： | 2009-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101492289A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘倩;陶明德 | 申请（专利权）人： | 山东中厦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274000山东省菏泽市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高电阻率/低B值热敏材料，是由Mn-Ni-Cu过度金属的氧化物Mn3O4、NiO和CuO作主配方，其中掺入SiC、Al2O3、和Nb2O5作为掺杂物，经陶瓷工艺制成具有尖晶石结构的热敏材料；材料在25℃时的电阻率为1-2KΩcm，25℃-50℃温区的B值为900K-1700K。高电阻率/低B值热敏材料的制备方法，由如下步骤依次组成：一次球磨——预烧——二次球磨——造粒——成型——烧结——电极制作。电阻率的均匀性为±5％，B值均匀性优于±2％，该材料特别适合用于制作特种汽车专用热敏电阻，宽温区测温和特种传感器的温度补偿元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 热敏 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高电阻率/低B值热敏材料，其主配方为Mn-Ni-Cu的金属氧化物，其特征在于：在主配方中加SiC、Al2O3、Nb2O5作为掺杂物，经陶瓷工艺制成具有尖晶石结构的热敏材料。
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