[发明专利]两体式基座半导体激光器无效
| 申请号： | 200910010488.5 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101494356A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张耐 | 申请（专利权）人： | 大连艾科科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022;H01S5/024;H01S5/026;H01S5/02;G02B6/26 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 | 代理人： | 曲宝威 |
| 地址： | 116600辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光器，特别是一种两体式基座半导体激光器。它包括壳体(1)，在壳体(1)内设有半导体致冷器、基座和位于基座上的激光二极管、第一透镜、光隔离器、第二透镜和光纤，其特征在于：所述的基座是由第一基座(9)和第二基座(10)组成的两体结构，所述的激光二极管设在第一基座(9)上，所述的半导体致冷器设在第一基座(9)的下方。本激光器具有降低被动热负载、降低半导体致冷器功耗、提高热特性、稳定性好、成本低、好安装的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 体式 基座 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种两体式基座半导体激光器，它包括壳体(1)，在壳体(1)内设有半导体致冷器、基座和位于基座上的激光二极管、第一透镜、光隔离器、第二透镜和光纤，其特征在于：所述的基座是由第一基座(9)和第二基座(10)组成的两体结构，所述的激光二极管设在第一基座(9)上，所述的半导体致冷器设在第一基座(9)的下方。
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