[发明专利]掩模限位连续组分扩展薄膜材料库制备方法无效
| 申请号： | 200910010404.8 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101487113A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陆文琪;徐军;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/04 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种掩模限位连续组分扩展薄膜材料库制备方法，用于薄膜材料研究中高效率地优化筛选薄膜的组分。其特征是：溅射靶呈旋转对称排布，靶面倾斜正对位于旋转对称轴上并与旋转对称轴垂直的基片；基片与溅射靶之间放置一个固定大小的掩模，掩模的边的位置和方向满足：对于任意一个靶，在旋转对称轴和该靶轴线所确定的平面内，用直线分别连接基片与该靶的两个距离最远的边缘点和两个距离最近的边缘点，两条直线交于一点，掩模有一个边过这点且与上述平面垂直。本发明的有益效果是：结构简单、造价低、易实施、制备效率高、可用于较低的薄膜生长温度、组分在基片上变化的区域可控制等。 | ||
| 搜索关键词： | 限位 连续 组分 扩展 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 掩模限位连续组分扩展薄膜材料库制备方法，其特征是：2或3个溅射靶呈旋转对称排布，靶面向旋转对称轴倾斜，各靶轴线交于旋转对称轴上一点；基片的中心位于靶轴线的交点处，基片表面与旋转对称轴垂直；基片与溅射靶之间放置一个固定大小的掩模，掩模的边的位置和方向满足：对于任意一个靶，在旋转对称轴和该靶轴线所确定的平面内，用直线分别连接基片与该靶的两个距离最远的边缘点和两个距离最近的边缘点，两条直线交于一点，掩模有一个边过这点且与上述平面垂直。
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