[发明专利]在集成电路晶片上制造低成本焊料凸块无效
| 申请号: | 200910009554.7 | 申请日: | 2009-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN101515557A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
| 发明(设计)人: | 肯·兰姆 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/027;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明涉及在集成电路晶片上制造低成本的焊料凸块。具体来说,一种在集成电路(IC)晶片上形成焊料凸块的低成本方法包含在所述IC晶片的结合垫上形成的柱凸块上直接沉积焊料。在一些实施方案中,通过在所述晶片的金属结合垫上执行导线球结合而在所述IC晶片上形成柱凸块。将可光界定的焊料掩模材料施加于所述晶片并固化。将所述可光界定的焊料掩模材料曝光以在所述金属结合垫区域处形成敞开的焊料掩模区域。将焊膏施加于所述敞开的焊料掩模区域内。回流所述晶片上的所述焊膏形成浸润到所述柱凸块的焊料凸块。随后从所述晶片上剥落所述焊料掩模。也可使用其它工艺(例如,波焊机、模版或丝网印刷工艺)将焊料浸润到柱凸块上以形成焊料凸块。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 晶片 制造 低成本 焊料 | ||
【主权项】:
1.一种在集成电路晶片上形成焊料凸块的方法,其包括:通过在所述晶片的金属结合垫上执行导线结合而形成柱凸块;在所述晶片上施加可光界定的焊料掩模材料;固化所述晶片;将所述可光界定的焊料掩模材料曝光以在所述金属结合垫区域处形成敞开的焊料掩模区域;将焊膏施加到所述敞开的焊料掩模区域;回流所述晶片上的焊膏以形成浸润到所述柱凸块的焊料凸块;以及从所述晶片上剥落所述焊料掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





