[发明专利]相位变化存储器阵列的验证电路及方法无效
| 申请号： | 200910007575.5 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101814323A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 林文斌;许世玄;江培嘉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C11/56;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种验证电路，适用于一相位变化存储器阵列。验证电路包括一感测单元、一比较器、一控制单元、一运算单元及一调整单元。感测单元根据一使能信号从相位变化存储器阵列的一存储单元感测出一感测电压。比较器根据感测电压以及一参考电压而产生一比较信号，以便指示存储单元是否为重置状态。控制单元根据使能信号而产生一控制信号。运算单元根据控制信号而产生一第一信号，以便指示比较器是否运作。调整单元提供一写入电流至存储单元，并根据控制信号调整写入电流的大小直到比较信号指示存储单元为重置状态。 | ||
| 搜索关键词： | 相位 变化 存储器 阵列 验证 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种验证电路，适用于一相位变化存储器阵列，包括：一感测单元，用以根据一使能信号从上述相位变化存储器阵列的一第一存储单元感测出一第一感测电压；一比较器，用以根据上述第一感测电压以及一参考电压而产生一比较信号，以便指示上述第一存储单元是否为重置状态；一控制单元，用以根据上述使能信号而产生一控制信号；一运算单元，用以根据上述控制信号而产生一第一信号，以便指示上述比较器是否运作，以及；一调整单元，用以提供一写入电流至上述第一存储单元，并根据上述控制信号调整上述写入电流的大小直到上述比较信号指示上述第一存储单元为重置状态。
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