[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种电力用半导体装置，可以确保足够的基板强度，同时，可以形成低导通电阻、高耐压，提高开关速度。它包括：形成在P型半导体基板(1)上的N型表面降场区(2)；在半导体基板(1)上部、与表面降场区(2)相邻的P型基区(3)；在基区(3)上、离开表面降场区(2)的N型发射极/源极区(8)；在基区(3)上、与发射极/源极区(8)相邻的P型基极连接区(10)；从发射极/源极区(8)上起、在基区(3)上和表面降场区(2)上形成的栅绝缘膜(6)和栅极(7)；以及在表面降场区(2)上、离开基区(3)的P型集电区(4)。半导体基板(1)被导入了晶格缺陷，使得其电阻值变为由添加在半导体基板(1)的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型半导体基板；形成在所述半导体基板上部的第2导电型表面降场区；在所述半导体基板上部、与所述表面降场区相邻形成的第1导电型基区；在所述基区上、离开所述表面降场区形成的第2导电型发射极/源极区；在所述基区上、与所述发射极/源极区相邻形成的第1导电型基极连接区；从所述发射极/源极区上起、在所述基区上和至少所述表面降场区上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的栅极；在所述表面降场区上、离开所述基区形成的第1导电型集电区；和在所述半导体基板上形成且与所述基极连接区和发射极/源极区电连接的发射极/源极，所述半导体基板被导入晶格缺陷，使得该半导体基板的电阻值成为由添加在所述半导体基板中的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。