[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200910006841.2 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101515476A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/28 | 分类号： | G11C16/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供存储单元的读出速度快的非易失半导体存储装置。其构成为：微小电流源105被连接在将存储单元101的漏极电压箝位的箝位用NMOS晶体管102上，在箝位用NMOS晶体管102中流入微小电流。存储单元101中无电流流入时，箝位用NMOS晶体管102中流入微小电流，从而防止存储单元101的漏极电压上升。箝位用NMOS晶体管102的偏置电压BIAS能够设得较高，存储单元101的漏极电压也变高，因此，存储单元101的电流值变大，读出放大器电路104的电流感测速度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，设有：多个存储单元；根据选择信号选择所述多个存储单元的存储单元选择电路；读出放大器电路，感测流入由所述存储单元选择电路选择的所述存储单元的电流；以及箝位电路，设置在所述存储单元和所述读出放大器电路之间并箝位所述存储单元的漏极电压，其特征在于，所述箝位电路设有：其漏极连接在所述读出放大器电路侧、源极连接在所述存储单元侧的箝位用NMOS晶体管；将偏置电压供给所述箝位用NMOS晶体管的栅极的偏置电压发生电路；以及与所述箝位用NMOS晶体管的源极连接的电流源。
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