[发明专利]复晶式发光二极管组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910006678.X | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101807566A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 潘科豪;林俊诚 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王玉双;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复晶式发光二极管组件及其制造方法。该复晶式发光二极管组件，包含一导线架，其中该导线架具有一承载部；配置于该承载部的多个芯片，所述芯片至少包含一第一芯片及一第二芯片；一第一散射层共形地覆盖该第一芯片，仅露出该第一芯片的电极，其中该第一散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料；以及一第二散射层共形地覆盖该第二芯片，仅露出该第二芯片的电极，其中该第二散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料。本发明可提升角度准确性，可有效分别掌控不同芯片封装后的发光角度，并增加其稳定度等优点，此外，由于不需要额外使用驱动电路来达成混光效果，因此可简化驱动电路的设计。 | ||
| 搜索关键词： | 复晶式 发光二极管 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复晶式发光二极管组件，包含：一导线架，具有一承载部；多个芯片，配置于该承载部，所述芯片至少包含一第一芯片及一第二芯片；一第一散射层，共形地覆盖该第一芯片，仅露出该第一芯片的电极，其中该第一散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料；以及一第二散射层，共形地覆盖该第二芯片，仅露出该第二芯片的电极，其中该第二散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料。
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