[发明专利]用于制造高质量半导体单晶锭的装置及使用该装置的方法无效
| 申请号： | 200910005257.5 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101498032A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎;洪宁皓;李洪雨;姜钟珉;金大渊 | 申请（专利权）人： | 韩国矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造高质量半导体单晶锭的装置以及使用该装置的方法。本发明的装置包括：石英坩埚；加热器，安装在石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在石英坩埚中的半导体溶化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基于熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强磁场施加至MGP和石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱磁场施加至固液分界面下方。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 质量 半导体 单晶锭 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造半导体单晶锭的装置，包括：石英坩埚，用于容纳半导体熔化物；加热器，安装在所述石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在所述石英坩埚中的所述半导体熔化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基于所述熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强磁场施加至所述MGP和所述石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱磁场施加至固液分界面下方。
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