[发明专利]原子层沉积设备

摘要

本发明提供一种原子层沉积设备。一种原子层沉积设备，包括：金属源气体供应管，其布置在晶片一侧，以在晶片的整个表面上方延伸，并能从第一端到第二端提供源气体；以及活性气体供应管，其布置在该晶片一侧，以在晶片的整个表面上方延伸，并能从第一端到第二端提供源气体，其中该活性气体供应管提供有用于吹出活性气体的多个吹气口，该活性气体在晶片上方被激活，并且其中，利用随着朝向活性气体供应管的第二端而远离第一端时逐渐减小的开口间距离来布置该吹气口。

主权项

1. 一种原子层沉积设备，包括：衬底基座，在所述衬底基座上布置待处理衬底；第一气体馈送管，所述第一气体馈送管布置在所述衬底基座一侧，以在所述衬底基座上布置的所述待处理衬底的整个表面上方延伸，并能从一端到另一端提供源气体；以及第二气体馈送管，所述第二气体馈送管布置在所述衬底基座一侧，以在所述衬底基座上布置的所述待处理衬底的整个表面上方延伸，并能从一端到另一端提供活性气体，所述活性气体可与在所述待处理衬底上方的所述源气体的沉积材料的层相反应，其中，所述第二气体馈送管提供有多个吹气口，用于吹出与所述待处理衬底相反应的所述活性气体，以及其中，在从所述第二气体馈送管的所述一端朝向所述另一端的渐远的方向上，以逐渐减小的开口间距离来分布所述多个吹气口。