[发明专利]等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件无效
| 申请号： | 200910004649.X | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101521144A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 村田征隆;渡边敬祐 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C04B35/50;C04B35/505;H01L21/3065;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件。所述等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件以氧化铈为主成分，对于卤素系气体或其等离子体等的耐腐蚀性优异，可实现低电阻化，并且在卤素等离子体工艺中，也可抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可代替氧化钇适用于半导体·液晶制造用等的等离子体处理装置的构成构件。使用至少暴露于等离子体的部分被在纯度99％以上的氧化铈100重量份中添加有3重量份以上100重量份以下的纯度99％以上的氧化钇的烧结体、或者被同样组成的喷射膜包覆的构件，另外使用在在纯度99％以上的氧化铈中，添加有占整个组成中1～50mol％的纯度99％以上的氧化钇或纯度99％以上的氧化镧，至少暴露于等离子体的部分的表面粗糙度Ra小于1.6μm的烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 使用 烧结 以及 构件 | ||
【主权项】：
1. 等离子体处理装置所使用的烧结体，其特征在于，在纯度99％以上的氧化铈100重量份中，添加纯度99％以上的氧化钇3重量份以上100重量份以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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