[发明专利]闪存组件的制造方法

摘要

本发明是关于一种闪存组件的制造方法，该方法包含：提供一半导体衬底；于该衬底上形成二栅极结构；进行一离子布植工艺，于该二栅极结构的二外侧的该衬底中分别形成一第一源极区，再于该二栅极结构之间的该衬底中进行一离子布植工艺形成一第一漏极区；于该二栅极结构之间的衬底中，利用一口袋型布植于该第一漏极区两侧形成二掺杂区；一L形间隙壁位于该第一漏极区上方；进行一离子布植以于该第一漏极区下方形成一第二漏极区，该第一与第二漏极区相较于该第一源极区具有一陡峭的接面外观；于该第一漏极区上形成一位障插栓。本发明的内存组件的制造方法能降低漏极读取电压及利用口袋型布植来改善短沟道效应。

主权项

一种闪存组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上方形成二栅极结构；进行一离子布植工艺，于所述二栅极结构的二外侧的所述半导体衬底中分别形成一第一源极区，再于所述二栅极结构之间的所述半导体衬底中进行一离子布植工艺形成轻掺杂的一第一漏极区，其中所述二第一源极区与所述第一漏极区的掺杂浓度不相同；于所述二栅极结构之间的所述半导体衬底中，利用一口袋型布植工艺于所述第一漏极区两侧形成二掺杂区；于所述二栅极结构之间分别形成一L形间隙壁，所述二L形间隙壁位于所述第一漏极区上方；进行一离子布植以于所述第一漏极区下方形成一第二漏极区，其中所述第一与第二漏极区相较于所述第一源极区具有一陡峭的接面外观；于所述第一漏极区上方形成一位障插栓。