[发明专利]一种多晶硅的制备方法有效
| 申请号： | 200910000997.X | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101497442A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 桑中生 | 申请（专利权）人： | 桑中生 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张庆敏 |
| 地址： | 456550河南省林州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅的制备方法，包括如下步骤：先将工业硅颗粒与氯化氢在氯硅烷反应堆中进行反应，生成三氯氢硅和/或四氯化硅和氢气；然后将生成物中的固体物和气体分离，分离后的固体物进入氯硅烷提纯系统进行提纯，同时将分离后的气体进入氯化氢与氢气分离系统进行处理，分离后的氯化氢返回氯硅烷反应堆中用于反应；提纯后的三氯氢硅和/或四氯化硅与分离出的氢气在硅还原反应堆中进行沉积反应，得多晶硅；反应剩余物进入分离再循环系统，分离出的三氯氢硅和/或四氯化硅再进入氯硅烷提纯系统进行提纯处理，分离出的氯化氢和氢气混合气进入氯化氢与氢气分离系统进行分离。本发明采用封闭循环系统以流化床法将工业级别的硅生成电子级别的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)先将工业硅颗粒与氯化氢在氯硅烷反应堆中进行反应，生成三氯氢硅和/或四氯化硅和氢气；2)然后将生成物中的固体物和气体分离，分离后的固体物进入氯硅烷提纯系统进行提纯，同时将分离后的气体进入氯化氢与氢气分离系统进行处理，分离后的氯化氢返回步骤1)中的氯硅烷反应堆中用于反应；3)提纯后的三氯氢硅和/或四氯化硅与分离出的氢气在硅还原反应堆中进行沉积反应，得多晶硅；4)步骤3)的反应剩余物进入分离再循环系统，分离出的三氯氢硅和/或四氯化硅再进入步骤2)中的氯硅烷提纯系统进行提纯处理，分离出的氯化氢和氢气混合气进入步骤2)中的氯化氢与氢气分离系统进行分离，以此循环进行。
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