[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910000776.2 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101483162A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 原田恵充;铃木优美;锅义博;高冈裕二;和田英之;猿田正畅;末益龙夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社;株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其包括：半导体基板；形成在所述半导体基板上的绝缘层；穿过所述半导体基板和所述绝缘层的过孔；以及通孔互连部，其具有导电层，该导电层形成在所述过孔内表面上的绝缘层上，其中，通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的所述绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社;株式会社藤仓，未经索尼株式会社;株式会社藤仓许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910000776.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电光学装置及电子设备
- 下一篇：层叠器件制造方法
