[发明专利]双端均复合生长型激光介质无效
| 申请号： | 200910000694.8 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101465510A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 彭毅 | 申请（专利权）人： | 彭毅 |
| 主分类号： | H01S3/02 | 分类号： | H01S3/02;H01S3/16 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所 | 代理人： | 田 磊 |
| 地址： | 100102北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双端均复合生长型激光介质，是二块单端或三块三端同类晶体介质复合生长在一起的晶体整体，所述的晶体介质为选自以下之一：1)GdVO4+Nd:GdVO4；2)GdVO4+Nd:GdVO4+GdVO4，其中Nd的浓度在0.1％与3％(摩尔分数)之间。本发明的有益效果为：单端或双端同类晶体介质是通过生长将它们结合在一起，而非热键合或光胶，完全实现分子间永久生长在一起，复合晶体的过渡面光学特性及透过率与理论透过相符合，生长后的复合晶体可经受任何的光学及机械加工。 | ||
| 搜索关键词： | 双端均 复合 生长 激光 介质 | ||
【主权项】：
1、一种双端均复合生长型激光介质，其特征在于：其是二块单端或三块三端同类晶体介质复合生长在一起的晶体整体，所述的晶体介质为选自以下之一：1)GdVO4+Nd:GdVO4；2)GdVO4+Nd:GdVO4+GdVO4，其中Nd的摩尔浓度在0.1％与3％之间。
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