[发明专利]集成电路结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910000401.6 | 申请日： | 2009-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101635270A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构的制造方法，至少包括：提供一半导体基材，此半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从上表面延伸到半导体基材中；利用旋转涂布方式填充一前驱物至开口中；对前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；在蒸汽固化后，对介电材料进行一化学机械研磨；以及在化学机械研磨后，对介电材料进行一蒸汽退火。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，至少包括：提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从该上表面延伸至该半导体基材中；利用一旋转涂布方式填充一前驱物至该开口中；对该前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；在该蒸汽固化后，对该介电材料进行一化学机械研磨；以及在该化学机械研磨之后，对该介电材料进行一蒸汽退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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