[发明专利]用于电流测量的磁阻传感器布置有效
| 申请号： | 200880130456.2 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102099695A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 鲁道夫·加蒂;马库斯·阿普拉纳尔普 | 申请（专利权）人： | ABB研究有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/20 | 分类号： | G01R15/20;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;李春晖 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 公开了一种用于对导体(1)中的电流进行测量的传感器单元，该传感器单元包括至少一个磁阻传感器(5、6)，其中磁阻传感器(5、6)位于距导体(1)的外表面一定的径向距离处，其中，导体(1)具有圆形横截面，并且其中，该传感器单元包括至少一个辅助线圈(7)，辅助线圈(7)用于对磁阻传感器(5、6)产生偏置磁场(Hbias)，该偏置磁场(Hbias)强到足以在整个电流测量处理期间连续地引起磁阻传感器(5、6)中的磁饱和。此外，公开了这样的传感器的用法和用于使用这样的传感器单元对导体中的电流进行测量的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电流 测量 磁阻 传感器 布置 | ||
【主权项】：
一种用于测量导体(1)中的电流的传感器单元，其包括至少一个磁阻传感器(5、6)，其中所述至少一个磁阻传感器(5、6)位于距所述导体(1)的外表面一定的径向距离处，其中，所述导体(1)具有圆形横截面，并且其中，其包括至少一个辅助线圈(7)，所述至少一个辅助线圈(7)用于对所述磁阻传感器(5、6)产生偏置磁场(Hbias)，该偏置磁场(Hbias)强到足以在整个电流测量处理期间连续地引起所述磁阻传感器(5、6)中的磁饱和。
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