[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法

摘要

一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。

主权项

一种光电转换装置的制造方法，是使用设置有多个放电电极的制膜装置，在1m2以上的大面积基板上形成包含结晶硅i层的光电转换层的光电转换装置制造方法，包括：把所述结晶硅i层制膜的工序；测量所述结晶硅i层的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是2.5以下区域的面积比例的工序；在该喇曼峰值比是2.5以下的区域的面积比例为3％以下的情况下，不变更所述结晶硅i层的制膜条件而继续生产，在所述喇曼峰值比是2.5以下的区域的面积比例大于3％的情况下，提示所述喇曼峰值比是2.5以下的区域的分布状况的工序；在所述喇曼峰值比是2.5以下的区域分布于所述基板整体的情况下，在所述结晶硅i层制膜时增加高频电力密度或者降低硅烷分压的工序；在所述基板上局部产生所述喇曼峰值比是2.5以下的区域的情况下，在所述结晶硅i层制膜时调整比配平衡，并且增加与产生所述喇曼峰值比是2.5以下的区域的位置对应的所述放电电极的高频电力密度的工序。