[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880128477.0 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101999178A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔然祚 | 申请（专利权）人： | 艾普拉斯泰克株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;李占平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，其包括基板、定位在基板上的包括第一导电层、活性层和第二导电层的氮化物半导体层，在第一导电层上形成的第一电极、在第二导电层上形成的第二电极，其中，在与所述第一导电层接触的所述基板的表面上形成图案，所述图案具有按预定间隔形成的一个以上的突出部以及从所述突出部的上表面下陷预定深度而获得的下陷部。本发明还提供制造氮化物半导体发光器件的方法。当使用具有包括突出部和下陷部的图案的基板时，能够获得更高的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括基板、定位在基板上的包括第一导电层、活性层和第二导电层的氮化物半导体层，在第一导电层上形成的第一电极、在第二导电层上形成的第二电极，其中，在与所述第一导电层接触的所述基板的表面上形成图案，所述图案具有按预定间隔形成的一个以上的突出部以及从所述突出部的上表面下陷预定深度而获得的下陷部。
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