[发明专利]在发光器件内制造高反射欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 200880128210.1 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102017192A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 汤英文;王立;江风益 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种在发光器件内制造高反射电极的制造方法。在制造过程期间，在生长衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层，和/或多量子阱(MQW)有源层。该方法进一步包括下列步骤：在所述第一掺杂半导体层上形成接触辅助金属层；对所述多层结构进行退火，以激活所述第一掺杂半导体层；去除所述接触辅助金属层；在所述第一掺杂半导体上形成反射欧姆接触金属层；形成与所述反射欧姆接触金属层连接的邦定层；将所述多层结构邦定至导电衬底；去除所述生长衬底；形成与所述导电衬底连接的第一电极；以及在所述第二掺杂半导体层上形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 反射 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：在生长衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层，以及多量子阱(MQW)有源层；在所述第一掺杂半导体层上形成接触辅助金属层；对所述多层结构进行退火，以激活所述第一掺杂半导体层；去除所述接触辅助金属层；在所述第一掺杂半导体层上形成反射欧姆接触金属层；形成与所述反射欧姆接触层连接的邦定层；将所述多层结构与导电衬底邦定；形成与所述导电衬底连接的第一电极；在所述第二掺杂半导体层上形成第二电极。
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